在“英特尔加速创新：工艺和封装” 去年 7 月的在线会议上，英特尔展示了一系列底层技术创新，以推动英特尔在 2025 年及以后的新产品开发。除了宣布十多年来首个全新晶体管架构 RibbonFET 和业界首个全新背面供电网络 PowerVia，英特尔还强调了快速采用下一代极紫外光刻 (EUV) 技术、高数值孔径 (High -NA) EUV，并将部署业界第一台 High-NA EUV 光刻机。
英特尔最新的工艺路线图看起来非常激进，计划在四年内推进五个工艺节点。尽管自 Pat Gelsinger 重返英特尔担任 CEO 以来，第 12 代处理器的性能有所提升，但由于过去几年表现不佳，许多人对这一工艺路线图持保留态度。半导体咨询公司 IC Knowledge 总裁 Scotten Jones 最近写道SemiWiki 的一篇文章，讲述了他从怀疑到对英特尔计划充满信心的历程。
Scotten Jones 分析了英特尔、台积电、三星未来几年可能的半导体技术研发，他认为随着极紫外(EUV)光刻设备使用量的增加和两个突破的推出，英特尔将有巨大的突破。英特尔 20A 工艺节点上的 RibbonFET 和 PowerVia 技术。预计2024年末(原定2025年初)Intel将推出搭载改进型RibbonFET的Intel 18A，届时很有可能在2025年压倒台积电的N2工艺节点，并在每瓦性能上领先。
